С вводом в эксплуатацию обновленного кристального
производства возможности АО «Научно-исследовательский институт электронной
техники» (г. Воронеж) по изготовлению передовой ЭКБ вышло на новый уровень.
В результате выполнения федеральной целевой программы (ФЦП) «Техническое
перевооружение производства СБИС и мощных СВЧ транзисторов» были построены
чистые производственные помещения классов 5 и 6 ИСО общей площадью 1250 м2, где
разместились участки, обеспечивающие полный цикл изготовления кристаллов
полупроводниковых приборов на основе кремния.
Производство пополнилось новыми установками для выполнения химической
обработки, фотолитографии, утонения пластин и плазмохимического травления.
Среди нового оборудования можно выделить установку мультипликации и
экспонирования фоторезиста (степпер) NSR-2205il2D с минимальной шириной
воспроизводимого элемента 0,28 мкм.
Именно от этой установки в первую очередь зависят проектные нормы, а
следовательно, возможности производства по изготовлению компонентов с малыми
размерами и высокой степенью интеграции. Линейный размер элемента 0,28 мкм
соответствует требованиям, предъявляемым при производстве широкой номенклатуры
современных дискретных полупроводниковых приборов, включая мощные СВЧ и силовые
транзисторы.
Среди новых единиц оборудования есть и белорусская установка — Р200 от компании
«Стратнанотек», предназначенная для плазмохимического удаления фоторезиста.
Модернизация кристального производства — очередной этап перевооружения
производства АО «НИИЭТ». Первый этап был завершен в 2016 году сдачей в эксплуатацию
мощностей по сборке ЭКБ и модулей в металлокерамические корпуса. Сборочное
производство «НИИЭТ» обладает широким спектром возможностей, включающим не
только корпусирование полупроводниковых приборов и ИС, но и изготовление
многокристальных модулей и систем в корпусе — изделий, которые обладают большим
потенциалом для развития отечественной сложнофункциональной компонентной базы.
Оно позволяет упаковывать ИС с числом выводов до 1,5 тыс. и обладает мощностью до 200
тыс. изделий в год. На данной площадке собирается не только продукция самого
предприятия, но и изделия внешних заказчиков, количество которых составляет
порядка 130.
Ввод в эксплуатацию обновленного кристального производства уже позволил
повысить качество выпускаемой предприятием продукции и увеличить выход годных.
Кроме того, новые технологические возможности будут способствовать глубокой
локализации изготовления перспективных изделий АО «НИИЭТ».
"Доведенный до логического конца проект — это всегда повод для гордости. Особенно
когда речь идет о таком сложном многостадийном процессе, каким является
перевооружение микроэлектронного производства. Результатом выполнения ФЦП
стали во многом уникальные для отечественного рынка производственные
возможности нашего предприятия, которые, я уверен, позволят нам обеспечивать
российскую промышленность качественными современными электронными
компонентами, а также создавать конкурентоспособную электронную продукцию, в том
числе для гражданского рынка", — отметил генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел
Куцько.
Создание данной площадки также обеспечивает базу для дальнейшего внедрения на
предприятии многообещающей технологии постростового производства на основе
гетероструктур нитрида галлия. «Развитие мощных СВЧ- и силовых транзисторов на
основе кремния подходит к своим предельным возможностям, поэтому всё более
широкое применение находят транзисторы на основе гетероструктур GaN, которые по
таким параметрам, как рабочая частота, быстродействие, энергоэффективность,
более чем на порядок превосходят кремниевые приборы. В построенных чистых
помещениях предусмотрены свободные площади, где планируется установить
дополнительное технологическое оборудование, которое с учетом уже действующих
технологических участков позволит обеспечить замкнутый цикл кристального
производства приборов на основе гетероструктур нитрида галлия на кремниевых
подложках диаметром 200 мм», — прокомментировал эти перспективы технический
директор АО «НИИЭТ» Игорь Семейкин.
Источник: https://niiet.ru/tehnicheskoeperevooryzhenie/
|